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Nonostante sia una delle caratteristiche che gli utenti guardano meno in uno smartphone, le memorie flash rappresentano una parte molto importante in tutti i processi degli smartphone. Nel caso in cui queste non fossero all’altezza, non ci sarebbe ottimizzazione che terrebbe, lo smartphone sarebbe sempre rallentato nelle operazioni. Un esempio di top di gamma da questo punto di vista è il Samsung Galaxy S6, che al momento integra le memorie più veloci presenti sul mercato.
Il primato potrebbe presto essere buttato giù proprio dal suo acerrimo rivale, l’iPhone. Più nello specifico, non si parla di iPhone 6s ma di iPhone 7. Forse non tutti sanno infatti che, nonostante il disegno della scocca e dell’alloggiamento delle componenti viene fatto da Apple, la maggior parte dei pezzi hardware deriva da società esterne: il SoC del nuovo iPhone 6s ad esempio se lo contendono Samsung e TSMC (iPhone 6S: Samsung e TSMC avviano la produzione del chip Apple A9).
Per quanto riguarda le memorie oggetto della nostra attenzione odierna, la battaglia sarà fra Sandisk e Toshiba. Entrambi i colossi infatti hanno di recente presentato le loro proposte di flash storage 3D NAND a 256 gigabit (al momento nell’unico taglio da 32 GB), in grado non solo di avere un impatto energetico più efficiente sulla batteria ma anche di essere più veloci nelle operazioni di scrittura e lettura.
Vedremo in futuro se a vincere sarà solo uno dei due, nessuno oppure entrambi: al momento infatti alcuni lotti di iPhone 6 hanno al loro interno delle memorie Toshiba ed alcuni delle memorie Sandisk.
