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Nonostante esitano tanti tipi diversi di SoC mobile (Snapdragon, Exynos, Tegra, Kirin ecc.), la maggior parte viene prodotta all’interno delle fonderie di Samsung. Il colosso coreano infatti è stato quello che è riuscito ad affinare in maniera migliore il processo di produzione FinFET (riuscendo negli ultimi tempi a realizzare costantemente un processo a 10nm senza impedimenti), acquistando un certo vantaggio sulla concorrenza (la quale si sta “specializzando” sui 7 nm, per cui in futuro il vantaggio di Samsung si trasformerà in svantaggio).
Stando a quanto abbiamo scoperto nelle scorse ore però, Samsung ed il suo processo di produzione FinFET potrebbero infrangere alcuni brevetti detenuti dalla Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), la quale starebbe pensando di intraprendere azioni legali.
In particolare, l’oggetto della disputa è proprio il processo produttivo FinFET a 10 nm, le cui proprietà intellettuale verrebbero utilizzate da Samsung già da tempo (per i test) senza alcun permesso da chi detiene il brevetto.
Il momento in cui Samsung ha “rubato” l’idea è avvenuta quando ha invitato il signor Lee Jong-ho nelle proprie fabbriche a mostrare il funzionamento di questo processo produttivo. Egli è un professore della Seoul National University, uno dei partner della KAIST:
Samsung è stata in grado di ridurre i tempi e costi di sviluppo copiando invenzione di Lee senza permesso. (Samsung) ha continuato a copiare l’invenzione di Lee senza autorità o compensazione adeguata.
Staremo a vedere come si evolverà la situazione certi che una potenziale causa potrebbe causare ritardi nella produzione di tutti i SoC di nuova generazione, fra cui il Qualcomm Snapdragon 835 ed il chip A11 di Apple.
