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Samsung inizia la produzione di memorie flash UFS 2.0 da 256 GB

Samsung UFS 2.0 256 GB

Attraverso un comunicato stampa, Samsung ha annunciato di aver iniziato la produzione di massa di memorie flash UFS 2.0 (Universal Flash Storage di seconda generazione) per dispositivi mobile da 256 GB. I nuovi chip sono basati sull’architettura V-NAND che permette di raggiungere non solo capacità molto elevate ma anche transfer rate eccezionali.

Volendo fare un esempio, il modulo da 256 GB (in produzione sono entrati anche moduli di capacità inferiore) riuscirà a raggiungere una velocità in lettura sequenziale di 850 MB al secondo, ovvero circa il doppio rispetto agli SSD Sata III che si trovano in commercio (in scrittura invece arriveranno fino a 260 MB al secondo).

Purtroppo ancora non sappiamo nè quando queste memorie flash verranno consegnate ai produttori che le richiederanno e nè se Samsung deciderà di implementare questi chip non solo sugli smartphone e tablet ma anche su SSD portatili, Pen Drive ed altri dispositivi di storage dalle dimensioni contenute.

Volendo fare una previsione, la tempistica e le caratteristiche sarebbero perfetti per un’adozione sul Samsung Galaxy Note 6, atteso alla presentazione nel corso della prossima IFA di Berlino (Settembre 2016).

Prima di lasciarvi, vi vogliamo ricordare che, nonostante il Samsung Galaxy S7 ed il Samsung Galaxy S7 utilizzino memorie UFS 2.0, le loro prestazioni saranno leggermente inferiori rispetto a questi nuovi chip.

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