Flash memory chip a 32 nanometri da SanDisk

SanDisk ha sviluppato la tecnologia di NAND Flash da 32 nanometri: si tratta del più piccolo e più avanzato chip per Flash memory finora realizzato.

Si parla di una combinazione tra X3 e i 32 nanometri che rappresenta una scoperta in termini di dimensioni e densità; si riduce notevolmente il costo di produzione mentre vengono mantenute le performance.

• Permetterà una maggiore capacità per le schede microSD che non era possibile con le tecnologie esistenti;
• Mantiene i livelli di performance della tecnologia a 43 nanometri per via dell'avanzata architettura All Bit-Line (ABL) di SanDisk e dei progressi della tecnologia a 32 nanometri.

SanDisk Corporation e Toshiba Corporation hanno annunciato il co-svilluppo della memoria Flash NAND a cella a multi-livello (multi-level cell, MLC) utilizzando la tecnologia di processo a 32-nanometri (nm) per produrre un memory chip da 32-gigabit (Gb) 3-bits-per-cell (X3). L'arrivo sul mercato dovrebbe essere molto vicino e le avanzate tecnologie consentiranno una maggiore capacità e una riduzione dei costi per la produzione dei prodotti che vanno dalle memory cards ai Solid State Drivers (SSD).

“The development of our third-generation 3-bits-per-cell technology on 32nm within one and a half years after the introduction of the first generation of 3-bits-per-cell on 56nm shows the incredibly fast pace necessary to be a world-class producer in today’s industry,” (Lo sviluppo della nostra terza generazione della tecnologia 3-bits-per-cell sui 32nm, entro un anno e mezzo dopo l'introduzione della prima generazione di 3-bits-per-cell sui 56nm, mostra l'incredibilmente veloce ritmo che è necessario sostenere per essere un produttore di classe mondiale nell'industria odierna), ha detto Sanjay Mehrotra, co-fondatore e presidente di Sandisk. "This allows us to offer higher capacities at compelling form factors while reducing manufacturing costs – all helping to expand our various product lines. This new development highlights SanDisk’s deep level of technical expertise and innovation that ultimately benefits consumers.” (Questo ci consente di offrire superiori capacità ad affascinanti form factors mentre vengono ridotti i costi di produzione - tutto questo per aiutare ad espandere le nostr varie linee di prodotto. Questo nuovo sviluppo mette in evidenza il profondo livello di periza tecnica ed innovazione che, in definitiva, portano vantaggi ai consumatori).

32nm X3 Technology — Ideale per le applicazioni microSD

La 32Gb X3 "on 32nm technology" è la più piccola flash memory NAND finora realizzata, capace di inserirsi nel formato della memory card microSD, che ha dimensioni pari ad un'unghia del dito, e che ha goduto di un'ampia adozione all'interno dei cellulari e di altri devices elettronici di consumo. La 32nm 32Gb X3 è la memory microSD a più alta densità del mondo, fornendo il doppio della capacità di una microSD su 43nm mentre riesce a mantenere la stessa area. Progressi delle tecnologie 32nm e la realizzazione di circuiti al loro interno, contribuiscono significativamente alla dimensione di 113mm2 mentre il brevetto dell'architettura All-Bit-Line (ABL) di SanDisk è stato un fattore chiave per mantenere una performance competitiva "X3 write".

“The 32nm X3 die’s small footprint and incredible density will allow for the production of higher capacities of microSD cards than could be manufactured without this technology,” (L'ingombro minimo della 32nm X3 e l'incredibile densità consentirà la produzione di cards microSD a maggiore capacità rispetto alle cards microSD che potevano essere prodotte senza questa tecnologia) ha detto Yoram Cedar, vicepresidente esecutivo, OEM business unit and corporate engineering di SanDisk. “The microSD form factor has grown in popularity due to rising demand for high capacity storage on mobile phones, and X3 will enable us to bring exciting new products to this market.” (Il form factor della microSD è cresciuto in fatto di popolarità a causa della crescente domanda per l'alta capacità di archiviazione nei telefoni cellulari, e X3 ci consentirà di portare nuovi ed entusiasmanti prodotti per questo mercato).

Basato sulle tecnologie chiave di SanDisk

32nm è la più avanzata tecnologia per flash memory fino ad oggi, che richiede soluzioni avanzate per gestire le sfide del "size scaling"della scalata delle dimensioni. La tecnologia 32nm combina diverse tecnologie innovative per ridurre l'area in modo più aggressivo rispetto alla linea di tendenza della Legge di Moore.

"32nm technology builds upon SanDisk’s successful deployment of immersion lithography in 43nm to implement spacer process without incurring additional investment in capital-intensive lithography equipment,” (La tecnologia 32nm costruita sul successo della litografia ad immersione in 43nm di SanDisk per implementare lo "spacer process" senza incorrere in invenstimenti ulteriori nell'attrezzatura per litografia ad intensità di capitale) ha detto Klaus Schuegraf, vicepresidente, memory technology di SanDisk. “SanDisk brings its industry-leading 64-bit NAND string length to 32nm, while compensating for bit-to-bit interference effects with innovative programming algorithms and system design.” (SanDisk ha portato la sua 64-bit NAND "string lenght", leader nel settore, alla 32nm mentre ha compensato gli effetti dell'interferenza bit-to-bit con algoritmi di programmazione e progettazione di sistema innovativi).

SanDisk e Toshiba hanno presentato una documento congiunto (joint paper) sulla flash memory 32nm 32 X3 NAND all'International Solid State Circuits Conference (ISSCC) 2009, mettendo in evidenza i progressi tecnici che hanno reso la 32nm possibile. La produzione della 32nm 32Gb X3 si prevede inizi per la seconda metà del 2009.

Fonte: Press Release